碳化硅行业分析报告：新能源东风已至，碳化硅御风而起

转自未来智库

（报告出品方/作者：东方证券，蒯剑，李庭旭）

1、碳化硅性能优势突出

主流半导体采用硅材料，射频、功率、光通信等特殊应用对半导体材料提出特殊需求。SiC 是制 作高温高频、大功率高压器件的理想材料之一，是由硅元素和碳元素组合而成的一种化合物半导 体材料。

1.1、SiC性能优势显著

同半导体材料硅（Si）相比，其禁带宽度是硅（Si）的 3 倍，击穿电压是其 8-10 倍，导热率是其 3-5 倍，电子饱和漂移速率是其 2-3 倍。

SiC 在耐高压、耐高频、耐高温方面具有独特优势。耐高压方面，SiC 阻抗更低，禁带宽度更宽， 能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更好效率；耐高频方面，SiC 不存在电流 拖尾现象，能够提高元件的开关速度，是硅（Si）开关速度的 3-10 倍，从而适用于更高频率和更 快的开关速度；耐高温方面，SiC 拥有非常高的导热率，相较硅（Si）来讲，能在更高的温度下 工作。因此，SiC 能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，有望成为未来最 被广泛使用的半导体芯片基础材料。 SiC主要用于功率或射频器件，适用于600V以上的高压场景，包括光伏、新能源汽车、充电桩、 风电、轨道交通等等电力电子领域。其中，新能源汽车领域，功率半导体主要应用于电机控制器、 DC/DC 变换器、车载充电机、压缩机、水泵、油泵，同时还应用于配套充电桩。

1.2、SiC衬底价值量最大，6英寸晶片成为主流

SiC 产业链主要包括上游衬底、中游外延、下游器件制造和模块封装，产业链价值量倒挂，其中 衬底制造技术壁垒最高、价值量最大，是未来 SiC 大规模产业化推进的核心。

衬底：最为核心的环节，价值量最高，约为 46%。根据电阻率的不同，可分为导电型和半绝 缘型衬底，分别用于功率和射频器件领域。高纯硅粉和高纯碳粉采用物理气相传输法（PVT） 生长 SiC 晶锭，之后经过滚磨、切割、研磨、抛光、清洗等环节最终形成衬底，其中晶体的 生长为核心工艺，核心难点在于提升良品率。晶片尺寸越大，对应晶体的生长与加工技术难 度越大，长晶技术壁垒高，毛利率可达 50%左右。 外延：价值量占比约23%，是指在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产条件。其中导电 型 SiC 衬底用于 SiC 外延，生产功率器件，应用于电动汽车和新能源领域；半绝缘型 SiC 衬 底用于氮化镓外延，生产射频器件，应用于 5G 通信等领域。

器件制造及模块封装：价值量占比约 20%，产品包括 SiC 二极管、SiC MOSFET、全 SiC 模 块、SiC 混合模块。 应用：依据电阻率区分，导电型 SiC 器件主要用于电动汽车、光伏、轨道交通、充电桩等领 域；半绝缘 SiC 器件主要用于 5G 通信、数据传输、航空航天、国防军工等领域。

半绝缘型 SiC 衬底市场增长迅速，6 英寸晶片成为发展趋势。受益于 5G 基建加快布局和全球地 缘政治动荡，半绝缘型 SiC 衬底市场增长空间巨大。根据 Yole 数据，2020 年全球半绝缘型 SiC 衬底市场规模为 1.8 亿美元，较 2019 年同比增长 18%。此外，根据中国宽禁带功率半导体及应 用产业联盟数据，2020 年全球 4 英寸半绝缘型 SiC 晶片的市场需求约 4 万片，6 英寸约 5 万片， 两者需求占比不相上下；预计到 2025 年，4 英寸市场需求将减少至 2 万片，6 英寸成为发展趋势。

导电型 SiC 衬底市场发展前景良好，6 英寸衬底占据绝大部分市场份额。受下游民用领域的持续 景气，如新能源汽车与光伏，导电型 SiC 衬底市场规模不断扩容。根据 Yole 数据，2018 年，全 球导电型 SiC 衬底市场规模为 1.7 亿美元，2020 年增长至 2.8 亿美元，复合增长率为 26%。根据 中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟数据，全球 6 英寸导电型衬底需求从 2020 年的超 8 万片增 长至 2025 年的 20 万片，而 4 英寸产品将逐步退出市场。

SiC 主流大厂正陆续推出 8 英寸晶圆片。当前，全球市场上 6 英寸 SiC 衬底已实现商业化，主流 大厂也陆续开始推出 8 英寸样品。SiC 晶圆尺寸的扩大不仅可以降低生产成本，而且有利于保持 晶圆几何形状，减少边缘翘曲，提升晶圆生产的良率。2019 年 Cree 完成了首批 8 英寸 SiC 晶圆 样品的制样，意法半导体在 2021 年 7 月宣布了制造出首批 8 英寸 SiC 晶圆片。预计 2023 年开 始，各大厂商将逐渐量产 8 英寸衬底，并继续提高外延和器件方面产能及良品率。随着 6 英寸衬 底、外延晶片质量提高，8 英寸产线实现规模化生产，SiC 器件和模块逐渐普及为电动汽车主流配 置，规模效应增大，成本可得到有效降低。

1.3、SiC价格呈下降趋势，渗透率有望随之提升

目前，SiC 衬底成本高/制作难、长晶速度慢、损失率高导致了器件的高成本，影响了 SiC 器件的 渗透率。根据我国第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）数据显示，SiC 功率器件最主要 的原材料成本——SiC 衬底、外延片的价格近年来持续下降，原因有：第一，伴随大直径衬底占比不断提高，衬底单位面积生长成本下降；第二，单晶的平均可用厚度仍会持续增加，这将不断 降低单位面积衬底成本；第三，衬底质量和晶片供货量的提高，以及外延晶片成品率的提高，推 动 SiC 器件成本逐步降低。未来 SiC 各环节成本有望持续下降，并迎来对于下游产业的加速渗透。

2、欧美厂商高度垄断，国内厂商潜力巨大

Wolfspeed 垄断 SiC 器件与外延片市场，欧美企业主导 SiC 器件市场。从衬底到器件环节，目前 以 Wolfspeed、ST 及罗姆等海外头部企业占据产业链主要份额。其中，因布局较早，良率与产能 规模全球领先，在 SiC 衬底及外延片市场 Wolfspeed 一家独大。下游器件领域，欧美日企业领先， 整体市占率达到 95%，意法半导体作为特斯拉 SiC 功率器件的第一梯队供应商，市场占有率排名 第一，达到 41%。

国际主流厂商大幅扩产，释放抢占 SiC 市场信号。国际企业大力完善第三代半导体产业布局，计 划大幅扩产来强化竞争优势，以抢夺日渐增长的市场份额。安森美表示 22 年要将 SiC 产能扩充 4 倍；意法半导体计划到 2024 年将 SiC 晶圆产能提高到 2017 年的 10 倍，SiC 营收将达到 10 亿美 元。在国际大厂加速扩产的背景下，SiC 产业格局逐渐迎来空前重构和变化。

国内厂商加速布局，发展空间巨大。国内企业也在积极研发和探索 SiC 器件的产业化，已经形成 相对完整的 SiC 产业链体系，部分产业节点已有所突破。SiC 衬底方面，天岳先进在半绝缘 SiC 衬底的市场占有率连续三年保持全球前三；天科合达在国内率先成功研制 6 英寸 SiC 衬底，并已 实现 2-6 英寸 SiC 晶片的规模化生产和器件销售。SiC 外延片方面，厦门瀚天天成与东莞天域可 生产 2-6 英寸 SiC 外延片。SiC 器件方面，国内厂商主要有泰科天润、瀚薪、扬杰科技、中电 55 所、中电 13 所、科能芯、中车时代电气等。模组领域，目前 SiC 市场斯达半导、河南森源、常州 武进科华、中车时代电气处于起步阶段。中国厂商在围绕 SiC 衬底生产上正在缩短与国外差距， 未来若能在 6 英寸和 8 英寸的 SiC 晶圆良率和成本上进一步实现突破是竞争的关键。

3、新能源革命来临，SiC器件迎风而起

全球 SiC 器件市场发展迅猛，2025 年有望增长至 26 亿美元。受益于 5G 通信、国防军工、新能 源汽车和新能源光伏等领域的发展，SiC 器件市场规模增速可观。Yole 数据显示，2019 年全球 SiC 功率器件市场规模为 5.4 亿美元，预计 2025 年将增长至 25.6 亿美元，CAGR 约 30%。整体 电动车相关领域（主逆变器+OBC+DC/DC 转换器）SiC 市场规模有望在 25 年达到 15.5 亿美元， 19-25 年 CAGR 为 38%；而电动车充电基础设施领域 SiC 增长最快，19-25 年 CAGR 为 90%。

3.1、新能源车是SiC器件的核心驱动力

全球新能源汽车终端需求火热，车用 SiC 晶圆需求攀升。根据 EVTank 数据显示，全球新能源汽 车 2025 年销量将达到 1800 万辆，19-25 年 CAGR 为 42%。随着新能源车渗透率不断升高，以及 整车架构朝 800V 高压方向迈进，SiC 器件在车载逆变器等领域有望迎来规模化发展。据 TrendForce 数据显示，预估 2025 年全球电动车市场对 6 英寸 SiC 晶圆需求可达 169 万片，21- 25 年 CAGR 为 94%。

国内新能源车市场规模快速增长，SiC 功率器件有望进一步突破。IDC 预计,2022 年中国新能源车 市场规模将达到 523 万辆，同比增长 47.2%。2025 年新能源车市场规模有望达到约 1,299 万辆， 2021-2025 年复合增长率约为 38%。根据 DIGITIMES Research 预测，2025 年电动汽车用 SiC 功率半导体将占整车用功率半导体的 37%以上，高于 2021 年的 25%。国内新能源车市场具备领先优势，随着渗透率的进一步提升以及汽车电子化程度的持续推进，国内车用 SiC 器件规模有望 快速突破。

多维度优势赋能车用 SiC 器件。SiC 功率器件在新能源汽车中展现出独特优势，其应用场景包括： 电机驱动系统逆变器、电源转换系统（车载 DC／DC）、车载充电系统（OBC）及非车载充电桩 等。从材料来看，SiC 相对于硅材料拥有更高的击穿场强、更高的热导率以及更高的电子饱和漂 移速度；从电路损耗来看，在同等条件下，SiC 功率器件能大幅减小电路开关的能量损耗（下降 85%）；从设备空间来看，采用 SiC 功率器件的 DC/DC 转换器、车载充电机以及电机控制器分别 能加减小设备 20%、40%、64%的系统空间；从电池转化效率来看，集成了 SiC 器件的模块能帮 助系统提升 6%的电力转换效率。

众多新能源汽车厂商竞相布局 SiC 器件。2018 年，特斯拉的 Model 3 首次采用意法半导体和英飞 凌的 SiC 逆变器取代了 Si-IGBT，逆变器效率提升了 5-8%。2020 年，比亚迪将自主研发制造的 SiC MOSFET 功率器件搭载在汉 EV 四驱高性能版上，实现了 200KW 的输出功率，功率密度提 升一倍。预计到 2023 年，比亚迪将实现 SiC 基车用功率半导体对硅基 IGBT 的全面替代，将整车 性能在现有基础上再提升 10%。目前，已有多家厂商推出了面向 HEV/EV 等电动汽车充电器的SiC 功率器件。未来随着 SiC 器件在车载充电器、DC/DC 转换以及充电桩中渗透率提升，市场空 间有望快速扩大。

新能源车高电压平台大势所趋，SiC 器件彰显优势。近年来各车企纷纷通过提升功率来缓解新能 源汽车的续驶焦虑和充电焦虑，而功率的增加一般有两种路径，即提高电流或电压。然而，大电 流可能会导致较大的核心部件热损耗，因此高电压电气平台成为了首选。高电压平台要求电驱动 系统的耐压性也要随之提升，而硅基器件无法承载电压的大幅升高，故 SiC 应用将逐步替代硅基 IGBT 成为关键。相比之 IGBT，SiC 体积小、功率密度高、耐高压和高温能力强，可助力新能源 车实现更长的续航里程、更短的充电时间和更强的动力性能。

国内外车企纷纷布局 800V 高压平台，SiC 大规模车载应用可期。在相同功率下，800V 电压平台 较 400V 电压的电流减半，电池充电热量降低，且低成本、轻量化、EMC 干扰的降低，以及效率 和续航的提升，让充电补能体验大幅增强。2019 年保时捷 Taycan 推出全球首款 800V 高电压电 气架构，支持 350kw 大功率快充，15 分钟内电量可充到 80％。近年来比亚迪、奥迪、吉利、小 鹏等一众车企也纷纷开始布局800V高电压平台，预计各大车企基于800V高压平台方案将在2022 年之后陆续上市，SiC 作为 800V 平台架构的最佳拍档有望大放异彩。

800V 高压平台需要电源产品配套升级，充电桩等迎来发展良机。当动力电池电压平台升级到 800V，当前的 OBC、DC/DC 及充电桩等电源产品都需要从 400V 等级提升至符合 800V 电压平台 的应用，SiC 器件由于其优异的特性也将开始大规模的应用。以充电桩为例，800V 高压充电桩在 设计架构上区别于 400V 的重要特点是需要配置 SiC MOSFET，以达到更快的充电速度和更好的 器件耐压性。22 年 Wolfspeed 宣布参与搭载 SiC 技术的直流快速充电桩项目，总功率可达 350 kW，成本可降低 20-30%。国内车企也开始发力，广汽埃安于 2021 年 8 月发布 480kW 超级充电 桩，小鹏也宣布 22Q4 起部署 480kW 高压超充桩，实现充电 5 分钟续航 200 公里。

3.2、光伏产业快速发展，SiC应用未来可期

全球和国内光伏新增装机量快速增长，成长天花板被打开。根据 CPIA 预测，乐观情况下，全球 光伏年新增装机在 2022 年将首次突破 200GW，达到 225GW 的水平，到 25 年全球年新增装机将 达到 330GW，20-25 年光伏新增装机的复合增长率达 20%；2025 年我国新增装机规模将达到 110GW，相当于 2020 年底的 3.7 倍。

光伏逆变器出货量高速增长，IGBT 作为逆变器“心脏”作用凸显。光伏逆变器是光伏系统的核 心部件，可以将太阳能板产生的可变直流电转换为交流电，并反馈回输电系统或供离网的电网使 用。根据 IHS Markit，近年来光伏产业的快速发展带动光伏逆变器市场规模快速提升，2020 年全 球光伏逆变器的市场规模为 136GW，2025 年将有望达到 401GW，20-25 年 CAGR 为 24%。光 伏逆变器成本结构方面，半导体器件和集成电路材料主要为 IGBT 元器件和 IC 半导体，其中以 IGBT 为主的半导体器件在驱动保护、过电流／短路保护、过温保护、机械故障保护等方面发挥巨 大作用，是逆变器的“心脏”，约占逆变器成本的 12％左右。

SiC 器件可有效提高光伏逆变器性能，有望逐步替代硅基 IGBT 成为逆变器核心。相比于硅基 IGBT，SiC MOS 具有更低的导通损耗、更低的开关损耗、无电流拖尾现象、高开关速度等优点， 并且可以在高温等恶劣的环境中工作，有利于提高光伏逆变器使用寿命。根据 SiC 芯观察数据， 采用 SiC 器件可有效提高光伏发电转换效率，光伏逆变器的转换效率可从硅基的 96%提升至 SiCMOSFET 的 99%以上，能量损耗降低 50%以上，设备循环寿命提升 50 倍。未来应用于光伏领域 的SiC逐渐成熟，伴随渗透率的进一步提升，其有望逐渐替代硅基IGBT在光伏逆变器上的应用。

国内光伏逆变器厂商加快布局，为 SiC 国产化提供历史性机遇。随着中国光伏装机量的增长，中 国本土厂商加快技术与产品升级，在全球已占据重要位置。在出货量排名前十的供应商中有六家 是中国供应商，其中华为以 23%的市占率位居榜首，国内逆变器厂商在全球逆变器市场中占据超 六成市场份额。未来随着新能源替代传统燃料进程加速，逆变器向高效率、高功率密度、高可靠 性等方向发展，SiC 器件有望受益于本土供应链优势，迎来发展良机。根据 SiC 芯观察数据显示， 2020 年 SiC 光伏逆变器占比为 10%，预计 2035 年占比将达到 75%，未来空间十分广阔。

3.3、SiC器件在轨道交通领域持续渗透

在大容量、轻量化和节能化要求下，轨道交通领域采用 SiC 大势所趋。随着轨道交通硅基功率器 件性能逐渐逼近理论极限，SiC 功率器件成为重点发展方向，以满足轨道交通系统对高功率密度、 低损耗和高可靠性等要求。与传统硅基 IGBT 牵引逆变器相比，全 SiC 牵引逆变器能耗能够降低 10%以上。2014 年日本小田急电铁新型通勤车辆配备了三菱电机 3300V/1500A 全 SiC 功率模块逆变器，开关损耗降低 55%，体积和重量减少 65%，电能损耗降低 20%～36%。根据 CASA 预 测，未来 30 年内，轨道交通应用中 90%的硅 IGBT 将被 SiC 器件或混合器件替代。Yole 数据显 示，铁路 SiC 市场将从 2019 年的 900 万美元增长到 2025 年的 1.18 亿美元，CAGR 达到 55%。

国内外厂商纷纷布局轨交系统 SiC 器件。2015 年，日本三菱公司推出了高性能平面栅 3.3kV SiC MOSFET 器件及全 SiC 模块产品，并在全世界首次将全 SiC 模块应用到轨道交通牵引变流系统 中。近年来随着新能源产业的蓬勃发展，SiC 加快渗透进入轨交领域。日本 N700S 新干线、西门 子 Velaro 列车等也大面积采用了 SiC 牵引系统，截至 2021 年 6 月，国内也已经有苏州三号线、 深圳地铁1号线等6条地铁线路采用了SiC技术。目前中国的时代电气、天岳先进，日本的东芝、 三菱、日立，以及欧美的 Wolfspeed、英飞凌，都已在发力轨道交通 SiC 产业链。我国高铁建设 目前已拥有世界领先水平，中国巨大的应用需求是国产 SiC 的“沃土”，国内厂商有望借助庞大 市场确立先发优势。

4、重点企业分析

4.1、三安光电：LED龙头，大力发展化合物半导体业务

三安光电主要从事化合物半导体材料与器件的研发、生产及销售，以氮化镓、砷化镓、SiC、磷 化铟、氮化铝、蓝宝石等化合物半导体新材料所涉及的外延片、芯片为核心主业。公司产品应用 广泛，包括照明、显示、背光、农业、医疗、微波射频、激光通讯、功率器件、光通讯、感应传 感等领域。2018 年公司斥资 333 亿元建设福建泉州南安高新技术产业园区，投资 III-V 族化合物 半导体材料、LED 外延、芯片、微波集成电路、光通讯、射频滤波器、电力电子、SiC 材料及器 件、特种封装等产业。三安光电已实现在半导体化合物高端领域的全产业链布局。

三安光电在 SiC 下游市场已取得多点突破，并已实现对各细分应用市场标杆客户的稳定供货。1） SiC 二极管：在 2021 年新开拓送样客户超过 500 家，出货客户超过 200 家，超过 60 种产品已进 入量产阶段。并借助在欧美日韩等国家和地区的技术和销售布局，与国际标杆客户实现战略合作。 a）已进入国内前 20 大客户：已进入 PFC 电源领域（维谛、比特、长城等）和光伏逆变器领域 （阳光电源、古瑞瓦特、固德威、科士达等）等客户的供应链。b）已实稳定供货：已对车载充 电机领域（威迈斯、比亚迪弗迪动力等）、家电领域（格力、长虹等）、充电桩及 UPS 领域（英 飞源、科华、英威腾、嘉盛等）各细分应用市场标杆客户稳定供货。

2)SiC MOSFET 工业级产品： 已送样客户验证。3)SiC MOSFET 车规级产品：正配合多家车企做流片设计及测试，与新能源汽 车重点客户的合作已经取得重大突破。车和家（理想关联公司）与三安成立合资公司，车和家持 有合资公司 70%股权，三安持有 30%股权。

三安光电正致力于打造 SiC IDM 一体化平台，湖南项目陆续投产后将持续带动营收高增长。三安 光电2021年报披露，集成电路新建项目规划产能主要在三安集成、泉州三安、湖南三安，电力电 子 SiC 配套产能扩充到 3 万片/月。其中，湖南三安项目包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，总占地面积约 1,000 亩，总建筑面积超 50 万平米，项目达产后，配套产能约 36 万片/年。

4.2、中微公司：正开发SiC专用MOCVD设备

中微公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司基于在半导体设备 制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED 外延片生产、功率器 件、MEMS 制造以及其他微观工艺的高端设备领域。1）等离子体刻蚀设备：已应用于国际一线 客户从 65 纳米到 14 纳米、7 纳米和 5 纳米及更先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产 线。2）MOCVD 设备：在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的 氮化镓基 LED 设备制造商。截至 2022 年 6 月底，公司设备累计付运台数达 2654 个反应台，在 客户 73 条生产线全面量产。

中微公司积极布局SiC材料功率器件外延生长设备和技术研发，牵头人具有25年以上相关经验。 根据公司公告，公司将总投资 37.56 亿元用于中微临港总部和研发中心项目，其中部分资金用于 公司 7 类新产品的研发项，其中一种就是宽禁带功率器件外延生长设备，主要包括 SiC 材料功率 器件的外延生长设备和技术的研发。该项目牵头人具有 25 年以上化合物半导体材料外延工艺开发、 设备研发及营运的经验。目前项目处于研究阶段，已拥有 10 余项专利技术储备，预计将持续至 2025 年底。

4.3、天岳先进：国内领先的SiC衬底企业

天岳先进主要从事 SiC 衬底的研发、生产和销售，产品可广泛应用于微波电子、电力电子等领域。 凭借卓越的研发及创新能力，天岳先进已成为全球为数不多的掌握半绝缘型和导电型 SiC 衬底、 产品尺寸较全的 SiC衬底生产商。1）半绝缘型：在发达国家对我国实行技术封锁和产品禁运的背 景下，公司自主研发出半绝缘型 SiC 衬底产品，实现了我国核心战略材料的自主可控。2）导电 型：公司已成功掌握导电型 SiC 衬底材料制备的技术和产业化能力。在优先保障半绝缘型 SiC 衬 底材料战略供应之余，进行导电型 SiC 衬底材料的研发和小批量销售，目前正在电力电子领域客 户中进行验证。

天岳先进半绝缘型产品已实现对国内下游核心客户的批量供货，并获得国外知名半导体公司认可。 公司通过持续的技术研究和产品开发，于 2015 年实现了 4 英寸半绝缘型 SiC 衬底的量产能力。 2018 年，公司通过下游行业主要的领先客户 A 的验证并开始批量供货。随后，公司又获得下游行 业主要客户 B 的认证，并获得大批量订单，国内市场份额进一步提升。根据 yole 报告统计，2021 年公司在半绝缘 SiC 衬底领域，市场占有率连续三年保持全球前三。

天岳先进导电型 SiC 衬底部分送样已陆续通过客户验证，正加快提升导电型衬底产能建设。2022 年 7 月，公司与某客户签署重大合同，23 年至 25 年向合同对方销售 6 英寸导电型 SiC 衬底产品 （用于功率），预计三年合计含税销售金额为 13.9 亿元。此外，2021 年公司募投资金 25 亿元用 于“SiC 半导体材料项目”。该项目主要用于生产 6 英寸导电型 SiC 衬底材料，预计 2022Q3 实现一 期项目投产，于 2026 年达产后，将新增 SiC 衬底材料产能约 30 万片/年，将用于满足下游电动汽 车、新能源并网、智能电网、储能、开关电源等 SiC 电力电子器件应用领域的广泛需求。未来， 产能的逐步投产将有助于天岳先进市场占有率的进一步提高。

4.4、闻泰科技：安世半导体SiC二极管产品已经出样

闻泰科技主营业务包括半导体 IDM、光学影像、通讯产品集成三大业务板块。目前已经形成从半 导体芯片设计、晶圆制造、封装测试、半导体设备，到光学影像、通讯终端、笔记本电脑、IoT、 服务器、汽车电子产品研发制造于一体的全产业链布局。旗下安世半导体是全球知名的半导体 IDM 公司，是原飞利浦半导体标准产品事业部，有 60 多年半导体研发和制造经验，客户超过 2.5 万个，产品种类超过 1.5 万种，每年新增 800 多种新产品，全部为车规级产品。

安世半导体 SiC 技术研发进展顺利，SiC 二极管产品已经出样。2021 年，闻泰科技半导体业务研 发投入 8.37 亿元，进一步加强了在中高压 MOSFET、化合物半导体 SiC 和 GaN 产品、IGBT 以 及模拟类产品的研发投入。在化合物半导体产品方面，闻泰目前已推出硅基氮化镓功率器件(GaN FET)，已通过 AECQ 认证测试并实现量产，并协同产业合作伙伴完成了 GaN 在电动车逆变器、 电控、电源等方案的设计工作。SiC 技术研发也进展顺利，SiC 二极管产品已经出样 IGBT 产品方 面，目前产品流片已经完成，正处测试验证阶段。新的模拟 IC 类产品也正处在加速研发推进中。

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