先进封装,最后的倚仗
先进封装,最后的倚仗
转自:半导体行业观察
来源:内容由半导体行业观察(ID:icbank)编译自bits-chips,谢谢。
随着缩小速度放缓,先进的封装技术允许晶体管数量不断增加。
半导体封装曾经是事后才想到的。作为一个低技术含量的流程,它主要外包给主要在劳动力成本上竞争的公司。然而,如今,领先的芯片制造商正在自己的封装设施上投入大量资金。据 Yole Group 称,到 2022 年,他们的总投资将达到 443 亿美元,预计到 2028 年每年将增长 10.6% (CAGR)。显然,封装已成为半导体制造的一个高度战略性的方面。
更准确地说,一组将芯片组合到单个封装中的不同技术(统称为先进封装)正在蓬勃发展。除了器件缩小、材料工程和设计协同优化技术之外,先进封装正在迅速成为推动摩尔定律的创新的主要支柱。
2022-2028 年按封装平台划分的先进封装收入(十亿美元)。来源:先进封装市场监测,Yole Intelligence,2023 年第一季度
不难看出原因:先进的封装允许更多的晶体管一起工作。在过去的几十年里,光刻驱动的微缩技术使得一块硅上的开关数量从数百个增长到数十亿个。现在,缩小速度正在放缓,而芯片生产成本却在上升,通过这种机制增加晶体管数量来提高计算能力变得越来越困难。
抛开形状因素问题不谈,将硅片做得更大并不是一个有吸引力的解决方案。芯片越大,由于一个或多个灾难性缺陷而变得无用的可能性就越大。小芯片可以提高产量,考虑到现代半导体制造的制造成本令人瞠目结舌,这一点尤其重要。然而,通过连接多个芯片,晶体管数量可以继续增长。英特尔首席执行官帕特·基辛格承诺在单个芯片封装中包含万亿个晶体管。
据了解,英特尔采用嵌入式多芯片互连桥 (EMIB) 来连接 2D 平面中的芯片,并采用Fovero来垂直堆叠它们。EMIB en Foveros 还可以组合在单个封装中,将两个或多个 Foveros 堆栈并排互连。最近,英特尔推出了玻璃基板,可以更密集地封装小芯片。
台积电无法满足对其晶圆上芯片(CoWoS)封装的需求,这种封装可以将多个芯片和内存块集成到一个封装中。它用于人工智能处理器和其他高性能计算应用程序。CoWoS 是台积电 3D Fabric 高级封装选项套件的一部分。
三星提供用于并排连接芯片的 I-Cube 和 H-Cube 以及用于堆叠芯片的 X-Cube,“实现超高垂直互连密度和更低的寄生效应,同时节省大量片上空间。”
引入先进封装的另一个原因是通信瓶颈。就像晶体管一样,芯片内布线已经缩小到更小的几何形状和更紧密的封装。芯片内的这些互连也变得越来越长。由此产生的寄生电阻增加和其他效应会在芯片不同部分之间的通信中引入显着的延迟,直至计算速度的任何改进都被抵消。通过堆叠芯片并使用更粗的管道连接它们,可以避免通信瓶颈。
最后,由于每个晶体管的价格不再下降,而且某些功能(例如 I/O 和 SRAM)的扩展性一直很差,因此芯片制造商有很强的动力去分解功能。在成本和性能要求方面最佳的工艺技术中分割设计和制造不同的功能,保持了对扩展逻辑部件的强烈需求。
原文链接
https://bits-chips.nl/artikel/explainer-how-advanced-packaging-supports-moores-law/
END
免责申明:本文内容转自:半导体行业观察,内容由半导体行业观察(ID:icbank)编译自bits-chips。文字、素材、图片版权等内容属于原作者,本站转载内容仅供大家分享学习。如果侵害了原著作人的合法权益,请及时与我们联系,我们会安排删除相关内容。本文内容为原作者观点,并不代表我们赞同其观点和(或)对其真实性负责。
AMB、AMB载板、活性钎焊、活性金属钎焊、陶瓷覆铜板、陶瓷基板、DBC、高可靠性基板、SiC芯片载板、AMB陶瓷基板、AMB陶瓷覆铜板、DBC基板、DBC陶瓷基板、芯片载板、IC载板、碳化硅IC载板、碳化硅载板、半导体碳化硅IC载板、第三代功率半导体碳化硅IC载板、第三代功率半导体载板、第三代功率半导体基板、银铜钛焊膏、银铜钛焊片、AgCuTi活性焊膏、AgCuTi、厚铜陶瓷基板、双面厚铜陶瓷板、银焊膏、银胶、银浆、烧结银、低温银胶、银烧结、纳米银锡膏、纳米银、纳米银膏、锡锑Sn90Sb10焊料片、锡锑焊片、Sn90Sb10 Solder Preforms
广州先艺电子科技有限公司是先进半导体连接材料制造商、电子封装解决方案提供商,我们可根据客户的要求定制专业配比的金、银、铜、锡、铟等焊料合金,加工成预成形焊片,提供微电子封装互连材料、微电子封装互连器件和第三代功率半导体封装材料系列产品,更多资讯请看www.xianyichina.com,或关注微信公众号“先艺电子”。