深度解析SiC技术特点以及应用的优势和挑战

转自：SIC碳化硅MOS管及功率模块的应用，作者：国产碳化硅器件

摘要：碳化硅(SiC)是一种由硅和碳组成的半导体材料，用于制造用于耐高温-高压-高频等应用的功率器件，例如电动汽车(EV)、脉冲电源、电机控制电路和逆变器。与传统的硅基功率器件(如IGBT和MOSFET)相比，SiC具有多种优势，后者凭借其成本效益和制造工艺的简单性长期主导市场。

SiC逆变器是满足这些要求的关键解决方案。除了将输入直流电转换为交流电外，逆变器还根据驱动需要控制提供给电机的功率水平。随着汽车电动汽车从400V逐渐迁移到800V，逆变器的作用变得更加重要。传统的逆变器在将能量从电池传输到电机方面提供的效率在大约97%到98%之间，而基于SiC的逆变器可以达到高达99%的效率。硅基IGBT和SiC基MOSFET的导通开关损耗之间的比较，SiC的损耗降低了76%。

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